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上海地下结构开发关键技术取得新突破

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    2011年度上海市科学技术奖励大会上获悉,由华东建筑设计研究院有限公司副总工程师王卫东博士作为项目负责人牵头,联合多家单位共同完成的“上海世博500kV地下变电站深层地下结构开发关键技术”项目,荣获2011年度上海市科技进步一等奖。
    上海世博500kV地下变电站工程位于上海市中心城区,是上海世博会重要配套工程。为国内首座、世界第二座大容量全地下变电站,地下建筑直径为130米,地下四层埋置深度约34米。在软土地层中心城区建设如此大面积、大深度的地下工程在上海乃至全国尚无先例可循。该项目采用产、学、研相结合的研究模式,集成创新,通过理论研究、室内与现场试验、新技术的开发与应用,取得了一系列成果:建立了圆形深基坑土压力计算方法和考虑圆形深基坑施工空间与时间效应的全过程分析方法,提出了深开挖条件下抗拔桩的工作性状和计算方法,包括深开挖条件下抗拔桩承载力性状与计算方法和深开挖过程中抗拔桩桩身受力性状与计算方法;提出了圆形深基坑逆作与深层地下结构的成套设计方法、关键节点构造与复杂技术处理措施,以及复杂地下水条件下深层地下结构成套防水设计方法;系统形成了深层地下结构逆作法关键施工技术,包括“抓铣结合”地下连续墙施工技术、调垂精度可达1/1000的一柱一桩智能调垂技术、深层地下结构逆作施工作业环境控制技术以及圆形地下结构超长内衬墙清水砼施工技术等。
    该项目授权发明专利2项、实用新型专利4项,授权国家工法2项、软件著作权1项,编制规范标准6部,出版科技著作1部,发表学术论文54篇,其中被SCI、EI收录21篇。项目成果解决了上海世博500kV地下变电站工程一系列技术难题,降低了建造难度、提高了工效,节省工程造价约6400万元。其深层地下结构开发方面形成的理论方法、新技术、专利与标准等成果将为上海与全国地下工程建设提供关键技术支撑。
作者: 来源: 发布时间:2012年08月03日